韶关噪音检测CMA 异地噪声第三方上门测试混响隔声性能

场效应管（FET）具有噪声低的特点，主要原因有以下几点：

结构设计：FET的结构相对简单，通道中只有一小段铂金属形成的障碍物，没有PN结等复杂的结构，减少了杂质和电磁辐射等产生噪声的可能性。

高输入阻抗：FET的输入阻抗高，通常在几十兆欧姆到数千兆欧姆之间，这使得输入信号被几乎不影响和干扰，从而减少了由外部噪声引起的信号失真。

内部噪声源的减少：FET在生产过程中，可以通过控制材料和提高制造工艺的精度，减少内部噪声源的产生，从而降低噪声水平。例如，在MOSFET中，采用多晶硅材料、悬浮栅极等技术可以有效地减少噪声源。

低温特性：FET的噪声性能与温度相关，一般而言，在较低的温度下，FET的噪声水平更低。因此，FET通常在较低的温度下工作，可以进一步减少噪声水平。